韓國首爾2019年9月26日 /美通社/ -- 在今天舉行的全球影響力人士大會上，英特爾正式介紹了一系列新的技術(shù)里程碑，并強調(diào)了其在以數(shù)據(jù)為中心的計算時代，推動內(nèi)存與存儲技術(shù)進步的持續(xù)投資與堅定承諾，包括面向云、人工智能和網(wǎng)絡(luò)邊緣應(yīng)用，為客戶提供獨特的英特爾®傲騰?技術(shù)以及英特爾3D NAND 解決方案。
英特爾公司高級副總裁兼非易失性存儲解決方案事業(yè)部總經(jīng)理 Rob Crooke 表示：“當今世界正在以驚人的速度產(chǎn)生數(shù)據(jù)，讓各類企業(yè)越來越難以高效處理數(shù)據(jù)。從所有這些數(shù)據(jù)中獲取價值的能力將是決定成敗的關(guān)鍵，而在內(nèi)存和存儲層級結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)突破性的前沿創(chuàng)新，正是英特爾在這一領(lǐng)域的驅(qū)動力所在?！?/p>
本次大會上，英特爾正式宣布將在位于新墨西哥州 Rio Rancho 的工廠運營一條新的傲騰技術(shù)開發(fā)線，并宣布代號為“Barlow Pass”的第二代英特爾傲騰數(shù)據(jù)中心級持久內(nèi)存將在2020年與下一代英特爾®至強®可擴展處理器一同發(fā)布。此外，英特爾于業(yè)內(nèi)率先展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC（四級單元）NAND，預(yù)計也將于2020年推出。
機器生成的大量數(shù)據(jù)通常需要實時分析才能發(fā)揮數(shù)據(jù)的價值，而這一需求已經(jīng)凸顯了目前在內(nèi)存存儲層級結(jié)構(gòu)中存在的一大空白 -- 其中，DRAM 容量不夠大，固態(tài)盤速度又不夠快。這一空白正是英特爾傲騰數(shù)據(jù)中心級持久內(nèi)存大有作為的地方。如果還需要更大的數(shù)據(jù)集，通過將傲騰技術(shù)與存儲接口進行互聯(lián)，便可以填補這一空白。
此外，硬盤驅(qū)動器的速度越來越無法支持以數(shù)據(jù)為中心的計算需求 -- 這也是英特爾傲騰技術(shù)和 QLC NAND 的組合發(fā)揮作用的地方?？傮w來說，英特爾傲騰技術(shù)是目前任何內(nèi)存和存儲技術(shù)都無法與之匹敵的一種獨特的材料、結(jié)構(gòu)與性能的組合。
目前，包括微軟在內(nèi)的多家客戶正在應(yīng)用英特爾內(nèi)存和存儲解決方案。其中，微軟正在對其客戶端操作系統(tǒng)進行重大改進，以支持英特爾傲騰持久內(nèi)存所帶來的眾多新功能和特性，如快速開機和游戲加載。
英特爾還為關(guān)鍵企業(yè)客戶展示了下一代單端口傲騰技術(shù)固態(tài)盤，預(yù)計該產(chǎn)品將在2020年上市。
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