比三星上一代產(chǎn)品提高約50%的位密度(bit density)
通過先進(jìn)的通道孔蝕刻技術(shù)（channel hole etching）提高生產(chǎn)效率
深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
"我們很高興能推出三星首款第九代V-NAND，這將有機(jī)會推動未來應(yīng)用的飛躍發(fā)展。"三星電子閃存產(chǎn)品與技術(shù)主管SungHoi Hur表示。"為了滿足不斷發(fā)展的NAND閃存解決方案需求，三星在這款產(chǎn)品的單元架構(gòu)和運行方案上不斷突破極限。通過我們最新的V-NAND，三星將在高性能、高密度SSD市場中持續(xù)創(chuàng)新，滿足未來人工智能時代的需求。"
憑借當(dāng)前三星最小的單元尺寸和最薄的疊層厚度，三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了約50%。單元干擾避免和單元壽命延長等新技術(shù)特性的應(yīng)用提高了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，而消除虛通道孔則顯著減少了存儲單元的平面面積。
此外，三星先進(jìn)的"通道孔蝕刻"技術(shù)展示了其在制程方面的卓越能力。該技術(shù)通過堆疊模具層來創(chuàng)建電子通路，可在雙層結(jié)構(gòu)中同時鉆孔，達(dá)到三星最高的單元層數(shù)，從而最大限度地提高了制造生產(chǎn)率。隨著單元層數(shù)的增加，穿透更多單元的能力變得至關(guān)重要，這就對更復(fù)雜的蝕刻技術(shù)提出了要求。
第九代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口"Toggle 5.1"，可將數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提高33%，最高可達(dá)每秒3.2千兆位（Gbps）。除了這個新接口，三星還計劃通過擴(kuò)大對PCIe 5.0的支持來鞏固其在高性能固態(tài)硬盤市場的地位。
與上一代產(chǎn)品相比，基于三星在低功耗設(shè)計方面取得的進(jìn)步，第九代V-NAND的功耗也降低了10%。隨著降低能耗和碳排放成為客戶的重要需求，三星的第九代V-NAND預(yù)計將成為未來應(yīng)用的理想解決方案。
三星已于本月開始量產(chǎn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品，并將于今年下半年開始量產(chǎn)四層單元（QLC）第九代V-NAND。
*本文中的產(chǎn)品圖片以及型號、數(shù)據(jù)、功能、性能、規(guī)格參數(shù)等僅供參考，三星電子有可能對上述內(nèi)容進(jìn)行改進(jìn)，具體信息請參照產(chǎn)品實物、產(chǎn)品說明書或三星半導(dǎo)體官網(wǎng) （https://semiconductor.samsung.com/cn/）。除非經(jīng)特殊說明，本網(wǎng)站中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星內(nèi)部測試結(jié)果，涉及的對比均為與三星產(chǎn)品相比較。
